MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia BUK9Y19-55B,115, VDSS 55 V, ID 184 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
170-5335
Nº ref. fabric.:
BUK9Y19-55B,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

184A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

LFPAK

Serie

BUK9Y19

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

85W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.05mm

Anchura

4.1 mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
PH
Desde el accionamiento de una simple lámpara a las sofisticadas necesidades de control de potencia en aplicaciones de motor, carrocería o chasis, los semiconductores de potencia Nexperia dan respuesta a muchos problemas en los sistemas de automoción.

Adecuado para los entornos térmicos más exigentes gracias la temperatura nominal de 175 °C Aplicaciones de MOSFET de enfoque Gestión de motores de servodirección eléctrica Generador de motor de arranque integrado Control de transmisión Iluminación de automoción Frenos (ABS) Control de climatización

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N de nivel lógico en un encapsulado de plástico usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado para usar en aplicaciones críticas de automoción.

bajas pérdidas de conducción gracias a la resistencia de encendido baja. Adecuado para fuentes de accionamiento de puerta de nivel lógico. Adecuado para entornos térmicamente exigentes gracias al valor nominal de 175 °C, cargas de 12 V y 24 V. Sistemas de automoción. Conmutación de potencia de uso general. Motores, lámparas y solenoides

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