MOSFET Vishay SI3499DV-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 3,9 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 170-8323
Nº ref. fabric.:: SI3499DV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI3499DV-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 3,9 A, TSOP-6 de 6 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 30/09/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,426 €

(exc. IVA)

0,515 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,426 €	1.278,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 170-8323
Nº ref. fabric.:: SI3499DV-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: TW

Datos del Producto

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	8 V
Tipo de Encapsulado	TSOP-6
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	48 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.35V
Disipación de Potencia Máxima	1,1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-5 V, +5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	1.7mm
Longitud	3.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	28 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1mm