MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 29 A, Mejora, WDFN de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

526,50 €

(exc. IVA)

637,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +0,351 €526,50 €

*precio indicativo

Código RS:
171-8365
Nº ref. fabric.:
NTTFS4C02NTAG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDFN

Serie

NTTFS4C02N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

4.2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.15mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.75mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia, 30 V, 170 A, 2,25 mOhmios, canal N simple μ8FL

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Baja capacitancia para minimizar pérdidas de controlador

Carga de puerta optimizada para minimizar pérdidas de conmutación

Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR

Aplicaciones

Convertidores dcdc

Interruptor de carga de potencia

Gestión de batería de portátil

Enlaces relacionados