MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 29 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Código RS:
171-8365
Nº ref. fabric.:
NTTFS4C02NTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDFN

Serie

NTTFS4C02N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

4.2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión directa Vf

800mV

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

750μm

Anchura

3.15mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.15mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia, 30 V, 170 A, 2,25 mOhmios, canal N simple μ8FL

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Baja capacitancia para minimizar pérdidas de controlador

Carga de puerta optimizada para minimizar pérdidas de conmutación

Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR

Aplicaciones

Convertidores dcdc

Interruptor de carga de potencia

Gestión de batería de portátil

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