MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVTFS5C453NLWFTAG, VDSS 40 V, ID 107 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 171-8405
- Nº ref. fabric.:
- NVTFS5C453NLWFTAG
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
19,12 €
(exc. IVA)
23,14 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1480 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,956 € | 19,12 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 171-8405
- Nº ref. fabric.:
- NVTFS5C453NLWFTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 107A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NVTFS5C453NL | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión directa Vf | 0.84V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Anchura | 3.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 107A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NVTFS5C453NL | ||
Encapsulado WDFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión directa Vf 0.84V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 3.15mm | ||
Anchura 3.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. Capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Baja resistencia
minimiza las pérdidas de conducción
Carga de puerta baja
minimiza las pérdidas de conmutación
Encapsulado u8FL
tamaño muy pequeño que permite PCB y módulos más pequeños
adecuado para aplicaciones de automoción
Sin plomo
Tamaño pequeño (3x3 mm)
Diseño compacto
Protección de batería inversa
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Fuentes de alimentación de conmutación
Driver de solenoide: ABS, inyección de combustible
Control de motor: EPS, barrido, ventiladores, asientos, etc.
Interruptor de carga: ECU, chasis, cuerpo
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, WDFN de 8 pines
