MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6024ENJTL, VDSS 600 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 172-0479
- Nº ref. fabric.:
- R6024ENJTL
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
18,05 €
(exc. IVA)
21,85 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | 3,61 € | 18,05 € |
| 125 - 245 | 2,906 € | 14,53 € |
| 250 - 495 | 2,832 € | 14,16 € |
| 500 - 745 | 2,762 € | 13,81 € |
| 750 + | 2,692 € | 13,46 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 172-0479
- Nº ref. fabric.:
- R6024ENJTL
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | R6024ENJ | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 320mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie R6024ENJ | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 320mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia están fabricados como dispositivos de baja resistencia de conexión con tecnologías de microprocesamiento útiles para una amplia gama de aplicaciones. Amplia gama incluidos tipos compactos, tipos de alta potencia y tipos complejos para cumplir con diversas necesidades del mercado.
Baja resistencia de encendido.
Velocidad de conmutación rápida.
Tensión de fuente de compuerta (VGSS) garantizada a ±20 V.
Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos.
Uso paralelo sencillo.
Chapado de cable sin plomo
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-263-7LA de 7 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
