MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal SH8MA4TB1, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 177-6205
- Nº ref. fabric.:
- SH8MA4TB1
- Fabricante:
- ROHM
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1.210,00 €
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1.465,00 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,484 € | 1.210,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 177-6205
- Nº ref. fabric.:
- SH8MA4TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOP | |
| Serie | SH8MA4 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 4.05mm | |
| Longitud | 5.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOP | ||
Serie SH8MA4 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 4.05mm | ||
Longitud 5.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
- COO (País de Origen):
- TH
El SH8MA4TB1 es un MOSFET de encapsulado pequeño de montaje superficial y baja resistencia de conexión. Es adecuado para conmutación.
Baja resistencia de encendido.
Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8).
Chapado de cable sin plomo
Libre de halógenos.
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