MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal SH8MA4TB1, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
177-6205
Nº ref. fabric.:
SH8MA4TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SH8MA4

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.05 mm

Longitud

5.2mm

Altura

1.6mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
TH
El SH8MA4TB1 es un MOSFET de encapsulado pequeño de montaje superficial y baja resistencia de conexión. Es adecuado para conmutación.

Baja resistencia de encendido.

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8).

Chapado de cable sin plomo

Libre de halógenos.

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