MOSFET ROHM SH8MA4TB1, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP de 8 pines, 2elementos

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Código RS:
177-6205
Nº ref. fabric.:
SH8MA4TB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de Canal

N, P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

SH8MA4

Tipo de Encapsulado

SOP

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

21,4 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15,5 nC a 10 V (Tr1), 19,6 nC a 10 V (Tr2)

Longitud

5.2mm

Ancho

4mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.6mm

Tensión de diodo directa

1.2V

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):
TH
El SH8MA4TB1 es un MOSFET de encapsulado pequeño de montaje superficial y baja resistencia de conexión. Es adecuado para conmutación.

Baja resistencia de encendido.

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8).

Chapado de cable sin plomo

Libre de halógenos.

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