MOSFET de potencia, N-Canal Vishay IRFPG50PBF, VDSS 1 kV, ID 6.1 A, Mejora, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 178-0788
- Nº ref. fabric.:
- IRFPG50PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 178-0788
- Nº ref. fabric.:
- IRFPG50PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1kV | |
| Serie | IRFPG50 | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 190nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 20.7mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1kV | ||
Serie IRFPG50 | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 190nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.31mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 20.7mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de la serie IRFPG50 de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 1000 V, disipación de potencia de 190 W - IRFPG50PBF
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para conmutación y control de potencia en entornos industriales exigentes. Proporciona una alta capacidad de tensión de drenaje a fuente y está diseñado para montaje en orificio pasante en conjuntos de alimentación donde se requiere un rendimiento térmico y eléctrico robusto en un amplio rango ambiental.
Características y ventajas:
• La clasificación de 1000 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 6.1 A admite corrientes de carga moderadas
• La disipación máxima de 190 W permite un manejo de potencia sostenido
• La Rds(on) máxima de 2 Ω simplifica la conducción de la puerta y el diseño térmico
• La carga de puerta típica de 190 nC informa sobre el presupuesto de energía de accionamiento de puerta
• La tolerancia de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta flexibles
• La corriente de drenaje continua de 6.1 A admite corrientes de carga moderadas
• La disipación máxima de 190 W permite un manejo de potencia sostenido
• La Rds(on) máxima de 2 Ω simplifica la conducción de la puerta y el diseño térmico
• La carga de puerta típica de 190 nC informa sobre el presupuesto de energía de accionamiento de puerta
• La tolerancia de puerta de 20 V permite márgenes de accionamiento de puerta flexibles
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación y convertidores de alta tensión
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para etapas de conmutación de inversor y SAI
• Puede utilizarse para conmutar cargas resistivas en equipos de prueba
• Apto para escenarios de prototipos y reparación de orificios pasantes
• Ideal para extremos frontales de accionamiento de motores industriales
• Se utiliza para etapas de conmutación de inversor y SAI
• Puede utilizarse para conmutar cargas resistivas en equipos de prueba
• Apto para escenarios de prototipos y reparación de orificios pasantes
¿Qué encapsulado y método de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO-247AC diseñado para montaje en orificio pasante para permitir una fijación fiable de placa y disipador térmico.
¿En qué rango térmico está clasificado para funcionar?
Está especificado para funcionar de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en entornos con gran variación de temperatura.
¿Cuántos contactos hay y cómo afecta a la disposición?
El dispositivo tiene tres contactos, lo que permite diseños de PCB MOSFET de canal único estándar y enrutamiento de puerta, drenaje y fuente convencional.
¿Cuál es la tensión directa del dispositivo y cómo afecta a las pérdidas de conmutación?
La tensión directa es de 1,8 V, lo que contribuye a los cálculos de energía de conducción y conmutación cuando se utiliza en circuitos con conducción de diodo o eventos de diodo de cuerpo.
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