MOSFET Vishay IRF820PBF, VDSS 500 V, ID 2,5 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 178-0851
- Nº ref. fabric.:
- IRF820PBF
- Fabricante:
- Vishay
2000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (En un Tubo de 50)
1,258 €
(exc. IVA)
1,522 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
| 50 - 50 | 1,258 € | 62,90 € |
| 100 - 200 | 1,069 € | 53,45 € |
| 250 + | 0,944 € | 47,20 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 178-0851
- Nº ref. fabric.:
- IRF820PBF
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de tercera generación Vishay proporcionan al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El encapsulado TO-220AB es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.
Valor nominal de dv/dt dinámico
Índice de avalancha repetitiva
Requisitos de accionamiento sencillos
Índice de avalancha repetitiva
Requisitos de accionamiento sencillos
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 2,5 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-220AB |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 3 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 50 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 4.7mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 24 nC a 10 V |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 10.41mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 9.01mm |
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