MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay IRF820PBF, VDSS 500 V, ID 2.5 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 178-0851
- Nº ref. fabric.:
- IRF820PBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
39,65 €
(exc. IVA)
48,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 400 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,793 € | 39,65 € |
| 100 - 200 | 0,673 € | 33,65 € |
| 250 + | 0,595 € | 29,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-0851
- Nº ref. fabric.:
- IRF820PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | IRF820 | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 9.01mm | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie IRF820 | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 9.01mm | ||
Anchura 4.7mm | ||
Longitud 10.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie IRF820 de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 500 V, corriente de drenaje continua de 2,5 A - IRF820PBF
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y amplificación en electrónica industrial. Es adecuado para aplicaciones que requieren tensiones de drenaje-fuente elevadas y corriente continua moderada, funciona en un amplio rango de temperaturas y se monta en un encapsulado de orificio pasante estándar para un montaje de placa sencillo.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 500 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 2,5 A admite la manipulación de cargas moderadas
• La disipación de potencia de 50 W permite un rendimiento térmico sostenido
• La resistencia de encendido de 3 Ω reduce las pérdidas relacionadas con la conducción
• La carga de puerta típica de 24 nC proporciona requisitos de accionamiento predecibles
• La tolerancia Vgs de ±20 V protege la puerta de eventos de sobretensión
• La corriente continua de 2,5 A admite la manipulación de cargas moderadas
• La disipación de potencia de 50 W permite un rendimiento térmico sostenido
• La resistencia de encendido de 3 Ω reduce las pérdidas relacionadas con la conducción
• La carga de puerta típica de 24 nC proporciona requisitos de accionamiento predecibles
• La tolerancia Vgs de ±20 V protege la puerta de eventos de sobretensión
Aplicaciones
• Apto para conmutación de lado primario SMPS en suministros industriales
• Ideal para etapas de amplificador lineal que requieren transistores de alta tensión
• Se utiliza para circuitos de interfaz de accionamiento de motor con corrientes moderadas
• Se puede utilizar para plataformas de prueba de alta tensión y fuentes de alimentación de laboratorio
• Apto para diseños de orificio pasante de retroadaptación en paneles de control
• Ideal para etapas de amplificador lineal que requieren transistores de alta tensión
• Se utiliza para circuitos de interfaz de accionamiento de motor con corrientes moderadas
• Se puede utilizar para plataformas de prueba de alta tensión y fuentes de alimentación de laboratorio
• Apto para diseños de orificio pasante de retroadaptación en paneles de control
¿Qué enfoque de montaje requiere este dispositivo?
Se suministra para montaje en orificio pasante en un encapsulado TO-220AB, lo que permite opciones de soldadura y disipación térmica convencionales.
¿Qué rango térmico puede tolerar durante el funcionamiento?
Puede funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que permite su uso en entornos hostiles y escenarios de unión elevada.
¿Cómo influye el accionamiento de puerta en el comportamiento de conmutación?
La carga de puerta típica de 24 nC a la tensión de puerta nominal determina la corriente de controlador necesaria y las compensaciones de velocidad de conmutación.
¿Qué debe tenerse en cuenta para la gestión de la disipación de potencia?
Con una disipación máxima de 50 W, es necesario disipador térmico externo y orientación de montaje para mantener temperaturas de unión seguras a cargas más altas.
¿Hay límites eléctricos específicos que se deben observar en la puerta?
La tensión de puerta-fuente no debe superar ±20 V para evitar dañar el óxido de puerta y comprometer la integridad del dispositivo.
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 150 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 55 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 30 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 40 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 500 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 100 V Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines