MOSFET Vishay Siliconix SQA401EEJ-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 2,68 A, SC-70-6L de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-3886
Nº ref. fabric.:: SQA401EEJ-T1_GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

MOSFET Vishay Siliconix SQA401EEJ-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 2,68 A, SC-70-6L de 6 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 12/11/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

0,447 €

(exc. IVA)

0,541 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 75	0,447 €	11,175 €
100 - 475	0,331 €	8,275 €
500 - 975	0,268 €	6,70 €
1000 +	0,217 €	5,425 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-3886
Nº ref. fabric.:: SQA401EEJ-T1_GE3
Fabricante:: Vishay Siliconix

Documentación Técnica

Datasheet

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

TrenchFET® power MOSFET

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,68 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SC-70-6L
Serie	TrenchFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	200 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	13,6 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±8 V
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Ancho	1.35mm
Longitud	2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	4,2 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip	1
Estándar de automoción	AEC-Q101
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Vishay Siliconix SQA401EEJ-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 2,68 A, SC-70-6L de 6 pines, , config. Simple

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