Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	147 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
	Tipo de Encapsulado	PQFN8
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,1 mΩ
	Modo de Canal	Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima	4V
	Tensión de umbral de puerta mínima	2V
	Disipación de Potencia Máxima	125 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	52 nC a 10 V
	Longitud	5mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Número de Elementos por Chip	1
	Ancho	6mm
	Altura	1.05mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tensión de diodo directa	1.3V

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 147 A
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 80 V
	Tipo de Encapsulado PQFN8
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 8
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 3,1 mΩ
	Modo de Canal Mejora
	Tensión de umbral de puerta máxima 4V
	Tensión de umbral de puerta mínima 2V
	Disipación de Potencia Máxima 125 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 52 nC a 10 V
	Longitud 5mm
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Número de Elementos por Chip 1
	Ancho 6mm
	Altura 1.05mm
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tensión de diodo directa 1.3V

Este MOSFET MV de canal N se fabrica mediante un proceso PowerTrench avanzado de ON Semiconductor que incorpora la tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

Características
Tecnología MOSFET de puerta apantallada
RDS(on) máx. = 3,1 mΩ con VGS = 10 V, ID = 56 A
RDS(on) máx. = 8,1 mΩ con VGS = 6 V, ID = 28 A
Qrr un 50 % inferior que otros proveedores de MOSFET
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Diseño con encapsulado robusto MSL1

Aplicaciones
MOSFET dc-dc principal
Rectificador síncrono en dc-dc y ac-dc
Controladores para motor
Inversores solares
Interruptores de carga
Productos finales
Adaptadores de alimentación
Fuentes de alimentación dc a dc
Herramientas eléctricas
Drones
Baterías

MOSFET onsemi NTMFS08N003C, VDSS 80 V, ID 147 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple