MOSFET ON Semiconductor NVD5C478NLT4G, VDSS 40 V, ID 45 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 178-4294
- Nº ref. fabric.:
- NVD5C478NLT4G
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 11/06/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)
0,688 €
(exc. IVA)
0,832 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 2500 + | 0,688 € | 1.720,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 178-4294
- Nº ref. fabric.:
- NVD5C478NLT4G
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- VN
Datos del Producto
MOSFET de alimentación de automoción en un encapsulado DPAK diseñado para modelos compactos y eficaces que incluye alto rendimiento térmico. Ideal para automoción.
Características
Baja resistencia
Capacidad de corriente alta
Capacidad PPAP
Ventajas
Mínimas pérdidas de conducción
Rendimiento de carga resistente
Protección de sobrecarga de tensión
Aplicaciones
Driver de lado bajo
Driver de lado alto
Accionador de motor
Productos finales
Tren de potencia de automoción
Motores de aire acondicionado y calefacción de automoción
Bombas de presión de ABS
Baja resistencia
Capacidad de corriente alta
Capacidad PPAP
Ventajas
Mínimas pérdidas de conducción
Rendimiento de carga resistente
Protección de sobrecarga de tensión
Aplicaciones
Driver de lado bajo
Driver de lado alto
Accionador de motor
Productos finales
Tren de potencia de automoción
Motores de aire acondicionado y calefacción de automoción
Bombas de presión de ABS
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 45 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7,7 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 30 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 92 nC a 4,5 V |
| Longitud | 6.73mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Ancho | 6.22mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 2.25mm |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
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