MOSFET STMicroelectronics STL190N4F7AG, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT de 8 pines, config. Simple
- Código RS:
- 178-7463
- Nº ref. fabric.:
- STL190N4F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1.764,00 €
(exc. IVA)
2.133,00 €
(inc.IVA)
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,588 € | 1.764,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 178-7463
- Nº ref. fabric.:
- STL190N4F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 120 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V | |
| Tipo de Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 127 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C | |
| Longitud | 5.4mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 41 nC a 10 V | |
| Ancho | 6.1mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 0.95mm | |
| Tensión de diodo directa | 1.2V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 120 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V | ||
Tipo de Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STripFET F7 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 2 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 4V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 127 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C | ||
Longitud 5.4mm | ||
Material del transistor Si | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 41 nC a 10 V | ||
Ancho 6.1mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 0.95mm | ||
Tensión de diodo directa 1.2V | ||