MOSFET Infineon BSC011N03LSIATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 178-7496
Nº ref. fabric.:: BSC011N03LSIATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC011N03LSIATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

14220 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)

0,753 €

(exc. IVA)

0,911 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
5000 +	0,753 €	3.765,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 178-7496
Nº ref. fabric.:: BSC011N03LSIATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

BSC047N08NS3G

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

Datos del Producto

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	TDSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	96 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	34 nC a 4,5 V
Ancho	5.35mm
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	0.56V
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C