MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSC030P03NS3GAUMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:
906-4309
Nº ref. fabric.:
BSC030P03NS3GAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS P

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

140nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.35mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de la serie OptiMOS P de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 100 A - BSC030P03NS3GAUMA1


Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de montaje en superficie que requieren un alto manejo de corriente y rango térmico. Funciona como dispositivo de mejora de canal P para el control de carriles de potencia y etapas de conmutación en entornos exigentes, ofreciendo un equilibrio de capacidad de conmutación y capacidad de corriente continua en un amplio rango de temperaturas.

Características y ventajas:


• La corriente de drenaje continua de 100 A permite la conmutación de alta carga
• La disipación de potencia máxima de 125 W admite cargas térmicas de altas prestaciones
• La baja Rds(on) de 4.6 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La Vds máxima de 30 V permite el control de carril de alimentación de media tensión
• La carga de puerta típica de 140 nC equilibra el esfuerzo de accionamiento y la velocidad de conmutación
• La tolerancia de puerta de 25 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos

Aplicaciones


• Apto para módulos de distribución de potencia de alta corriente
• Ideal para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Se utiliza con sistemas de gestión de baterías y conversión de potencia
• Se puede utilizar para conmutación de accionamiento de motor de lado bajo
• Se utiliza para electrónica sometida a tensión térmica en amplios intervalos de temperatura

¿Qué tipo de encapsulado debo planificar en la PCB?


Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TDSON de 8 pines que requiere una huella que coincida con una almohadilla térmica de 8 pines y las tierras circundantes para la capacidad de soldadura y la transferencia de calor.

¿Cómo afecta la temperatura ambiente al funcionamiento admisible?


Valor nominal de funcionamiento de -55 °C hasta 150 °C, mantiene la funcionalidad en condiciones de extremo frío y unión elevada, aunque la gestión térmica determinará los límites de corriente dinámica.

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son importantes para el rendimiento de conmutación?


Espera una carga de puerta total típica de 140 nC que informa el tamaño del controlador

los controladores deben proporcionar corriente suficiente para conmutar dentro de los tiempos de transición deseados al tiempo que observan el valor nominal máximo de fuente de puerta de 25 V.

¿Qué características de tensión directa influyen en la conducción inversa?


El dispositivo presenta una tensión directa de -1,1 V durante la conducción en la dirección pertinente, lo que influye en las pérdidas de conducción en configuraciones de rueda libre o síncronas.

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