MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ120P03NS3GATMA1, VDSS -30 V, ID -40 A, P, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 258-0719
- Nº ref. fabric.:
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,046 € | 5,23 € |
| 50 - 120 | 0,922 € | 4,61 € |
| 125 - 245 | 0,86 € | 4,30 € |
| 250 - 495 | 0,796 € | 3,98 € |
| 500 + | 0,742 € | 3,71 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-0719
- Nº ref. fabric.:
- BSZ120P03NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | BSZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie BSZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Las familias OptiMOS muy innovadoras de Infineon incluyen MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado activo y las características de mérito.
Modo de mejora
Nivel normal, nivel lógico o nivel super lógico
Valor nominal de avalancha
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS