MOSFET, Doble N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 20 A, P, TDSON
- Código RS:
- 259-1555
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N04S4L08ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
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- Código RS:
- 259-1555
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N04S4L08ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPG | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | P | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPG | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal P | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de automoción Infineon, doble SS08 (5x6), optimos-T2. Es un super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. Se trata de una conexión de bastidor de cable de fuente más grande para unir cables.
Modo de mejora de nivel lógico de canal N doble
Certificación AEC Q101
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
100 % probado contra avalanchas