MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPI029N06NAKSA1, VDSS 60 V, ID 136 A, P, TDSON

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

5,09 €

(exc. IVA)

6,158 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 460 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 182,545 €5,09 €
20 - 482,29 €4,58 €
50 - 982,135 €4,27 €
100 - 1981,98 €3,96 €
200 +1,855 €3,71 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3885
Nº ref. fabric.:
IPI029N06NAKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

136A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TDSON

Serie

IPI

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

P

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia OptiMOS de Infineon está optimizado para rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado, como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargador de tableta. Además, estos dispositivos son una elección perfecta para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluidos control de motor, microinversor solar y convertidor dc-dc de conmutación rápida.

Mejora del 40% de FOM en comparación con dispositivos similares

Conformidad con RoHS - sin halógenos

Homologación MSL1

Eficiencia del sistema más alta

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

Enlaces relacionados

Recently viewed