MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 510 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

Código RS:: 178-7608
Nº ref. fabric.:: NDC7001C
Fabricante:: onsemi

MOSFET de potencia onsemi, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 510 mA, SOT-23, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:: 178-7608
Nº ref. fabric.:: NDC7001C
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld	510mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	SOT-23
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	10Ω
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.1nC
	Disipación de potencia máxima Pd	960mW
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Aislado
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	1.7 mm
	Altura	1mm
	Longitud	3mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Tipo de producto MOSFET de potencia
	Corriente continua máxima de drenaje ld 510mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado SOT-23
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 0.8V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.1nC
	Disipación de potencia máxima Pd 960mW
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Aislado
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 1.7 mm
	Altura 1mm
	Longitud 3mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

NDC7001C, Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)

El NDC7001C es un MOSFET de canal N y P dual que incorpora la tecnología DMOS de Semi. DMOs garantiza una conmutación rápida, fiabilidad y resistencia en estado. Estos MOSFETs son un tipo de paquete SOT-23 con 6 pines.

Características y ventajas:

• Tecnología DMOS

• Corriente de saturación alta

• Diseño celular de alta densidad

• Marco de plomo de cobre para una capacidad térmica y eléctrica superior

Los MOSFETs NDC7001C son ideales para:

• Baja tensión

• Corriente baja

• Conmutación

• Fuentes de alimentación

MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de densidad muy alta se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

Transistores MOSFET, ON Semi

On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.

En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.