MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIP32431DR3-T1GE3, VDSS 5.5 V, ID 1.2 A, SC-70-6 de 6 pines

Código RS:: 180-7353
Nº ref. fabric.:: SIP32431DR3-T1GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIP32431DR3-T1GE3, VDSS 5.5 V, ID 1.2 A, SC-70-6 de 6 pines

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Código RS:: 180-7353
Nº ref. fabric.:: SIP32431DR3-T1GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	5.5V
	Serie	SiP32431DR
	Encapsulado	SC-70-6
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	147mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Disipación de potencia máxima Pd	250mW
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Longitud	2.15mm
	Altura	1.1mm
	Anchura	2.2mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 5.5V
	Serie SiP32431DR
	Encapsulado SC-70-6
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 147mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Disipación de potencia máxima Pd 250mW
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Longitud 2.15mm
	Altura 1.1mm
	Anchura 2.2mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: TW

MOSFET serie SiP32431DR de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 5,5 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,2 A - SIP32431DR3-T1GE3

Este MOSFET es un transistor de montaje en superficie de canal P diseñado para tareas de conmutación de baja tensión en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para la gestión de potencia a nivel de placa donde se requiere un tamaño de encapsulado pequeño y un manejo de potencia modesto.

Características y ventajas:

• Baja resistencia de encendido de 147 mΩ, lo que permite reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua nominal de 1,2 A para cargas de conmutación constantes
• Límite de tensión de fuente de drenaje de 5,5 V adecuado para sistemas de baja tensión
• Capacidad de disipación de potencia de 250 mW para cargas térmicas moderadas
• Estructura conforme a RoHS que favorece una fabricación sin plomo

Aplicaciones

• Adecuado para vías de alimentación de dispositivos portátiles y portátiles
• Ideal para protección de baterías y circuitos de conmutación de carga
• Se utiliza con electrónica de consumo compacta y dispositivos portátiles
• Puede utilizarse para protección contra polaridad inversa de baja tensión
• Adecuado para montajes SMD densamente poblados

¿Qué estilo de montaje es necesario para la integración en una placa?

Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SC-70-6 de seis contactos diseñado para soldadura por reflujo y colocación cercana de componentes.

¿Cómo afecta la temperatura a su rango de funcionamiento?

El dispositivo está especificado para funcionar desde -40 °C hasta 85 °C, lo que permite su uso en condiciones ambientales industriales y de consumo típicas.

¿Qué número de contactos y polaridad de canal deben esperar los diseñadores?

El componente proporciona seis contactos y emplea un canal de tipo P para disposiciones de conmutación de lado alto.

¿Hay limitaciones de tamaño importantes para diseños compactos?

Su altura, longitud y anchura de encapsulado miden 1,1 mm, 2,15 mm y 2,2 mm respectivamente, lo que permite implementaciones de huella muy pequeña.