MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFIBE20GPBF, VDSS 800 V, ID 1.4 A, TO-220FP, 1
- Código RS:
- 180-8329
- Nº ref. fabric.:
- IRFIBE20GPBF
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 180-8329
- Nº ref. fabric.:
- IRFIBE20GPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.5Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.5Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El Vishay IRFIBE20G es un MOSFET de potencia de canal N que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 800V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene que tener un encapsulado TO-220 FULLPAK. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 6,5ohms a 10VGS.
Encapsulado aislado
Aislamiento de alta tensión = 2,5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz)
Distancia de separación entre contactos de disipador a cable = 4,8 mm
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia Vishay VDSS 800 V TO-220FP, 1
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 800 V Mejora, TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220FP de 3 pines