MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRFP32N50KPBF, VDSS 500 V, ID 32 A, TO-247AC de 3 pines, config. Simple
- Código RS:
- 180-8653
- Nº ref. fabric.:
- IRFP32N50KPBF
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 180-8653
- Nº ref. fabric.:
- IRFP32N50KPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 32A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.16Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 460W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 190nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 15.87mm | |
| Longitud | 16.25mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 32A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.16Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 460W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 190nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 15.87mm | ||
Longitud 16.25mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N TO-247AC-3 de la nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30 V. Tiene una resistencia de drenaje-fuente de 160 mohm a una tensión de fuente de puerta de 10 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 460 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas
• Puerta mejorada, avalancha y dV/dt dinámico
• Componente sin plomo (Pb)
• La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo
• RDS bajo (encendido)
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 150 °C
Aplicaciones
• Circuitos de conmutación rígida y alta frecuencia
• Conmutación de alimentación de alta velocidad
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida
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