MOSFET Vishay IRFD123PBF

El MOSFET Vishay es un encapsulado HVMDIP de canal N, un montaje de orificio pasante es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de 270mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Índice dv/dt dinámico
• Facilidad de conexión en paralelo
• Extremo apilable
• Cambio rápido
• Para inserción automática
• Componente sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• avalancha repetitiva

• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)