MOSFET, RS1E130GNTB, N-Canal-Canal, 35 A, 30 V, 8-Pin, HSOP RS1E130GN Simple
- Código RS:
- 183-5451P
- Nº ref. fabric.:
- RS1E130GNTB
- Fabricante:
- ROHM
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
- Código RS:
- 183-5451P
- Nº ref. fabric.:
- RS1E130GNTB
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 35 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V | |
| Serie | RS1E130GN | |
| Tipo de Encapsulado | HSOP8 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 17,7 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.2V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 22 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V | |
| Ancho | 5mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 7.9 nC @ 10 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 5.8mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | 150 °C | |
| Tensión de diodo directa | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Altura | 1.05mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 35 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 30 V | ||
Serie RS1E130GN | ||
Tipo de Encapsulado HSOP8 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 17,7 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1.2V | ||
Disipación de Potencia Máxima 22 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±20 V | ||
Ancho 5mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 7.9 nC @ 10 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 5.8mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento 150 °C | ||
Tensión de diodo directa 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Altura 1.05mm | ||
- COO (País de Origen):
- TH
Power MOSFETs are made as low ON-resistance devices by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. Broad lineup covering compact types, high-power types and complex types to meet various needs in the market.
Low on - resistance
High Power Package (HSOP8)
Pb-free lead plating
Halogen Free
High Power Package (HSOP8)
Pb-free lead plating
Halogen Free