Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal NTJD4401NT1G, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 184-1229
- Nº ref. fabric.:
- NTJD4401NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 100 unidades)*
13,20 €
(exc. IVA)
16,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2200 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,132 € | 13,20 € |
| 500 - 900 | 0,113 € | 11,30 € |
| 1000 + | 0,098 € | 9,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 184-1229
- Nº ref. fabric.:
- NTJD4401NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | Pequeña señal | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 910mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-88 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 440mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.76V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 550mW | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto Pequeña señal | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 910mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-88 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 440mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.76V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 550mW | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.2mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This N-Channel dual device was designed with a small footprint package (2x2 mm) with ON Semiconductor's leading planar process for small footprint and increased efficiency. The low figure of merit is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.
Small Footprint (2 x 2 mm)
Low Gate Charge N-Channel Device
ESD Protected Gate
Same Package as SC-70 (6 Leads)
Applications:
Load Power Switching
Li-Ion Battery Supplied Devices
DC-DC Conversion
Enlaces relacionados
- Pequeña señal onsemi VDSS 20 V SC-88 2, config. Doble
- Pequeña señal onsemi VDSS 30 V SC-88 2, config. Aislado
- Pequeña señal onsemi VDSS 30 V SC-88 2, config. Aislado
- Pequeña señal DiodesZetex VDSS 50 V SC-88 2, config. Aislado
- Pequeña señal DiodesZetex VDSS 50 V SC-88 2, config. Aislado
- Pequeña señal onsemi VDSS 20 V SOT-963 2, config. Aislado
- Pequeña señal onsemi VDSS 20 V SOT-563 2, config. Doble
- Pequeña señal onsemi VDSS 20 V SOT-563 2, config. Aislado