Nº ref. fabric.

Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal NTJD4401NT1G, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

Código RS:: 184-1229
Nº ref. fabric.:: NTJD4401NT1G
Fabricante:: onsemi

Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal NTJD4401NT1G, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:: 184-1229
Nº ref. fabric.:: NTJD4401NT1G
Fabricante:: onsemi

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	Pequeña señal
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	910mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	20V
	Encapsulado	SC-88
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	440mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	12 V
	Disipación de potencia máxima Pd	550mW
	Tensión directa Vf	0.76V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	1.3nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	150°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	-55°C
	Configuración de transistor	Doble
	Altura	1mm
	Anchura	1.35 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.2mm
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto Pequeña señal
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 910mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V
	Encapsulado SC-88
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 440mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 12 V
	Disipación de potencia máxima Pd 550mW
	Tensión directa Vf 0.76V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.3nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C
	Temperatura de funcionamiento máxima -55°C
	Configuración de transistor Doble
	Altura 1mm
	Anchura 1.35 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.2mm
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet NTJD4401NT1G

COO (País de Origen):: CN

This N-Channel dual device was designed with a small footprint package (2x2 mm) with ON Semiconductor's leading planar process for small footprint and increased efficiency. The low figure of merit is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.

Small Footprint (2 x 2 mm)

Low Gate Charge N-Channel Device

ESD Protected Gate

Same Package as SC-70 (6 Leads)

Applications:

Load Power Switching

Li-Ion Battery Supplied Devices

DC-DC Conversion

Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal NTJD4401NT1G, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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