MOSFET onsemi NTZD3154NT1G, VDSS 20 V, ID 540 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos

Código RS:: 184-1406
Nº ref. fabric.:: NTZD3154NT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NTZD3154NT1G, VDSS 20 V, ID 540 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos

1100 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 100)

0,111 €

(exc. IVA)

0,134 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
100 - 900	0,111 €	11,10 €
1000 - 3900	0,082 €	8,20 €
4000 - 7900	0,07 €	7,00 €
8000 - 23900	0,064 €	6,40 €
24000 +	0,062 €	6,20 €

*precio indicativo

Código RS:: 184-1406
Nº ref. fabric.:: NTZD3154NT1G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet NTZD3154NT1G

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

This is a 20 V N-Channel Power MOSFET.

Low RDS(on) Improving System Efficiency
Low Threshold Voltage
Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
ESD Protected Gate
Applications:
Load/Power Switches
Power Supply Converter Circuits
Battery Management

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	540 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	20 V
Tipo de Encapsulado	SOT-563
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	900 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.45V
Disipación de Potencia Máxima	250 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±7 V
Ancho	1.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1.5 nC @ 4.5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	1.7mm
Número de Elementos por Chip	2
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.6mm

MOSFET onsemi NTZD3154NT1G, VDSS 20 V, ID 540 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos

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