Pequeña señal onsemi, Tipo N-Canal NTZD3154NT1G, VDSS 20 V, ID 540 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 184-1406
- Nº ref. fabric.:
- NTZD3154NT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 184-1406
- Nº ref. fabric.:
- NTZD3154NT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Pequeña señal | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 540mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SOT-563 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 7 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250mW | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.3 mm | |
| Altura | 0.6mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Pequeña señal | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 540mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SOT-563 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 7 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250mW | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Longitud 1.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.3 mm | ||
Altura 0.6mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
This is a 20 V N-Channel Power MOSFET.
Low RDS(on) Improving System Efficiency
Low Threshold Voltage
Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
ESD Protected Gate
Applications:
Load/Power Switches
Power Supply Converter Circuits
Battery Management
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