MOSFET, Tipo P-Canal onsemi BVSS84LT1G, VDSS 50 V, ID 130 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 184-4729
- Nº ref. fabric.:
- BVSS84LT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 100 unidades)*
14,80 €
(exc. IVA)
17,90 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponibilidad limitada
- Disponible(s) 19.700 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
Nuestras existencias actuales son limitadas y los proveedores prevén escasez de productos.
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,148 € | 14,80 € |
| 500 - 900 | 0,127 € | 12,70 € |
| 1000 + | 0,11 € | 11,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 184-4729
- Nº ref. fabric.:
- BVSS84LT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 130mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 50V | |
| Serie | BVSS8L | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 225mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.01mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 130mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 50V | ||
Serie BVSS8L | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 225mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.01mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.04mm | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -50V -130mA 10 Ohm Single P-Channel SOT-23 Logic Level. PPAP capable suitable for automotive applications.
AEC Qualified
PPAP Capable
Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
Automotive MOSFET
Applications
DC-DC Converters
Load Switching
Power Management in portable and battery-powered products such as computers, printers, cellular and cordless telephones
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 50 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET VDSS 12 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SOT-23 de 3 pines
