MOSFET onsemi NVMTS0D7N04CTXG, VDSS 40 V, ID 420 A, DFNW8 de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 185-9222
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS0D7N04CTXG
- Fabricante:
- onsemi
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
7,715 €
(exc. IVA)
9,335 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 7,715 € | 15,43 € |
| 10 - 98 | 6,92 € | 13,84 € |
| 100 - 248 | 5,95 € | 11,90 € |
| 250 - 498 | 5,80 € | 11,60 € |
| 500 + | 5,655 € | 11,31 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 185-9222
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS0D7N04CTXG
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- PH
Datos del Producto
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (8x8 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 420 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | DFNW8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 670 μΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 205 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±20 V |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Ancho | 8mm |
| Longitud | 8.1mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Tensión de diodo directa | 1.2V |
| Altura | 1.15mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 |
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