MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 477 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 185-9234P
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS0D7N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
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|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 185-9234P
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS0D7N06CLTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 477A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 900μΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 225nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 294.6W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.15mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 477A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 900μΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 225nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 294.6W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.15mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- PH
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (8x8 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body