MOSFET, N-Canal Vishay SQD50034E_GE3, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 188-5081P
- Nº ref. fabric.:
- SQD50034E_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0039Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0039Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.41mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- TW
Automotriz N-Canal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
MOSFET de potencia TrenchFET®
Encapsulado con baja resistencia térmica