MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*

62,60 €

(exc. IVA)

75,75 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 900 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
50 +1,252 €62,60 €

*precio indicativo

Código RS:
188-8295
Nº ref. fabric.:
STP6N95K5
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

950V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.25Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

15.75mm

Longitud

10.4mm

Anchura

4.6 mm

Estándar de automoción

No

These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications Product status link requiring superior power density and high efficiency.

Ultra low gate charge

Zener-protected

Applications

Switching applications

Enlaces relacionados