MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 5 A, Mejora, IPAK de 3 pines
- Código RS:
- 188-8455P
- Nº ref. fabric.:
- STD5NM60T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal 10 unidades (suministrado en una tira continua)*
8,72 €
(exc. IVA)
10,55 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 115 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 10 - 95 | 0,872 € |
| 100 - 495 | 0,676 € |
| 500 - 995 | 0,574 € |
| 1000 + | 0,476 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-8455P
- Nº ref. fabric.:
- STD5NM60T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | IPAK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.2mm | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado IPAK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.2mm | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performances.
Low input capacitance and gate charge
HIgh dv/dt and avalanche capabilities
Low gate input resistance
Applications
Switching applications