MOSFET STMicroelectronics STB11NM80T4, VDSS 800 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 188-8461P
Nº ref. fabric.:: STB11NM80T4
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STB11NM80T4, VDSS 800 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Unidades	Por unidad
10 - 18	6,735 €
20 - 48	6,055 €
50 - 98	5,46 €
100 +	5,185 €

**precio indicativo

Código RS:: 188-8461P
Nº ref. fabric.:: STB11NM80T4
Fabricante:: STMicroelectronics

Datasheet STB11NM80T4

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	400 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	43.6 nC @ 10 V
Longitud	10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	4.37mm
Tensión de diodo directa	0.86V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-65 °C

MOSFET STMicroelectronics STB11NM80T4, VDSS 800 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics