MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STL40DN3LLH5, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 188-8491
- Nº ref. fabric.:
- STL40DN3LLH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 188-8491
- Nº ref. fabric.:
- STL40DN3LLH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | STripFET | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 25mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie STripFET | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 5.1mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Low on-resistance
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Wettable flank package
Applications
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