MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STL40DN3LLH5, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, 1, config.
- Código RS:
- 188-8491
- Nº ref. fabric.:
- STL40DN3LLH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 10 unidades)*
10,58 €
(exc. IVA)
12,80 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,058 € | 10,58 € |
| 100 - 490 | 0,706 € | 7,06 € |
| 500 - 990 | 0,578 € | 5,78 € |
| 1000 - 2990 | 0,571 € | 5,71 € |
| 3000 + | 0,564 € | 5,64 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 188-8491
- Nº ref. fabric.:
- STL40DN3LLH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | STripFET | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 25mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie STripFET | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Low on-resistance
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Wettable flank package
Applications
Switching applications
Enlaces relacionados
- MOSFET STMicroelectronics VDSS 30 V PowerFLAT 1, config. Simple
- MOSFET VDSS 60 V PowerFLAT config. Canal N
- MOSFET VDSS 40 V PowerFLAT config. Canal N
- MOSFET RF VDSS 40 V PowerFLAT config.
- MOSFET VDSS 60 V PowerFLAT config. Canal N
- MOSFET VDSS 40 V PowerFLAT config. Canal N
- MOSFET RF VDSS 40 V PowerFLAT config. Simple
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, PowerFLAT de 5 pines