MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 189-0263
- Nº ref. fabric.:
- NTP150N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
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- 189-0263
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- NTP150N65S3HF
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 192W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 16.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 192W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 16.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia MOSFET on Semiconductor de alta tensión (SJ) que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento de carga bajo y bajo en resistencia excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para la miniaturización y una mayor eficiencia. SUPERFET III FRFET MOSFET optimizado rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carga de puerta ultra baja (Typ. QG = 43 nC)
Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS (eff.) = 400 pF)
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)
Capacitancia optimizada
Typ. RDS(on) = 121 mΩ
Menor pérdida de conmutación
Menor pérdida de conmutación
Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Aplicaciones
Telecomunicaciones
Sistema en la nube
Industriales
Productos finales
Alimentación de telecomunicaciones
Alimentación de servidores
Cargador EV
Solar / SAI
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