Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	24A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	150mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	43nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	192W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	10.67mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	16.3mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 24A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 192W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 10.67mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 16.3mm
	Estándar de automoción No

Datasheet NTP150N65S3HF

COO (País de Origen):: CN

SUPERFET III MOSFET es la nueva familia MOSFET on Semiconductor de alta tensión (SJ) que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento de carga bajo y bajo en resistencia excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para la miniaturización y una mayor eficiencia. SUPERFET III FRFET MOSFET optimizado rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.

700 V a TJ = 150 °C

Carga de puerta ultra baja (Typ. QG = 43 nC)

Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS (eff.) = 400 pF)

Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento

Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)

Capacitancia optimizada

Typ. RDS(on) = 121 mΩ

Menor pérdida de conmutación

Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Aplicaciones

Telecomunicaciones

Sistema en la nube

Industriales

Productos finales

Alimentación de telecomunicaciones

Alimentación de servidores

Cargador EV

Solar / SAI

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTP150N65S3HF, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-220 de 3 pines