MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMYS2D4N04CTWG, VDSS 40 V, ID 138 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
195-2511
Nº ref. fabric.:
NTMYS2D4N04CTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

138A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NTMYS2D4N04C

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.25 mm

Altura

1.15mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Estos dispositivos no contienen plomo

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