MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 900 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 201-4467
- Nº ref. fabric.:
- STF16N90K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
209,50 €
(exc. IVA)
253,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,19 € | 209,50 € |
| 100 - 200 | 4,076 € | 203,80 € |
| 250 - 450 | 3,968 € | 198,40 € |
| 500 - 950 | 3,867 € | 193,35 € |
| 1000 + | 3,771 € | 188,55 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 201-4467
- Nº ref. fabric.:
- STF16N90K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 900V | |
| Serie | SiC MOSFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 330mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29.7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 30W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 16mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 900V | ||
Serie SiC MOSFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 330mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29.7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 30W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 16mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics N-Channel 900 V, 280 mo típ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET en un encapsulado TO-220FP se basa en una innovadora estructura vertical propia.
Carga de puerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 900 V Mejora, TO-220 de 3 pines