Módulo MOSFET STMicroelectronics STB33N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Código RS:: 202-5496
Nº ref. fabric.:: STB33N60DM6
Fabricante:: STMicroelectronics

Módulo MOSFET STMicroelectronics STB33N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

6,855 €

(exc. IVA)

8,295 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 48	6,855 €	13,71 €
50 - 98	4,90 €	9,80 €
100 - 248	4,705 €	9,41 €
250 - 498	4,60 €	9,20 €
500 +	4,47 €	8,94 €

*precio indicativo

Código RS:: 202-5496
Nº ref. fabric.:: STB33N60DM6
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - STB33N60DM6

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.

Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	ST
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,115 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	4.75V
Material del transistor	SiC
Número de Elementos por Chip	1

Módulo MOSFET STMicroelectronics STB33N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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