MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247, Reducción de 4 pines

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Código RS:
202-5544
Nº ref. fabric.:
STW70N60DM6-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

62A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-247

Serie

ST

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.036Ω

Modo de canal

Reducción

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

99nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

390W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

41.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.1 mm

Longitud

15.9mm

Estándar de automoción

No

STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.

100 % a prueba de avalancha

Protección Zener

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