MOSFET, N-Canal onsemi NTHL160N120SC1, VDSS 1.2 kV, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 202-5707P
- Nº ref. fabric.:
- NTHL160N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 20 - 198 | 5,695 € |
| 200 + | 4,94 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 202-5707P
- Nº ref. fabric.:
- NTHL160N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 119W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 119W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Anchura 4.82mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-3L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-3L
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Resistencia de drenaje a conexión de fuente 160mO
Carga de puerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Sin plomo
En conformidad con RoHS