MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 204-3948P
- Nº ref. fabric.:
- STW50N65DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 204-3948P
- Nº ref. fabric.:
- STW50N65DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | DM6 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 91mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 52.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie DM6 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 91mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 52.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener