Módulo de potencia SiC STMicroelectronics SCT30N120H, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines
- Código RS:
- 204-3951
- Nº ref. fabric.:
- SCT30N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)
15,757 €
(exc. IVA)
19,066 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
1000 + | 15,757 € | 15.757,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 204-3951
- Nº ref. fabric.:
- SCT30N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
STMicroelectronics, un MOSFET de potencia de carburo de silicio que aprovecha las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia de conexión inigualable por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura. Las excelentes propiedades térmicas del material SiC, combinadas con la carcasa del dispositivo en el encapsulado HiP247 propio, permiten a los diseñadores utilizar un contorno estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada. Estas características hacen que el dispositivo sea perfectamente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
Variación muy ajustada de resistencia de conexión frente a. temperatura
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 45 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
Serie | SCT30N120H |
Tipo de Encapsulado | HiP247 |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,09 Ω |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 3.5V |
Material del transistor | SiC |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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