Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH50N120-7, VDSS 1200 V, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

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Código RS:
204-3954P
Nº ref. fabric.:
SCTH50N120-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.065Ω

Modo de canal

Mejora

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se produce aprovechando las propiedades avanzadas e innovadoras de los materiales de amplia separación de banda. Esto da como resultado una resistencia de encendido sin precedentes por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura.

Variación muy estrecha de la resistencia de encendido vs.

temperatura

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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