Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTHL080N120SC1A, VDSS 1.200 V, ID 31 A, TO-247 de 3 pines

El MOSFET 1200V de canal N SiC serie NTH de on Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE ENCENDIDO y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. Por consiguiente, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, la frecuencia de funcionamiento faster, la mayor densidad de potencia, la reducción de EMI y el menor tamaño del sistema.

La corriente nominal de drenaje continuo es 31A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 110mohm
Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
100% sometido a pruebas UIL
Baja capacitancia eficaz de salida
El tipo de encapsulado ES TO-247-3LD