MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi NTHL080N120SC1A, VDSS 1200 V, ID 31 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 205-2502
- Nº ref. fabric.:
- NTHL080N120SC1A
- Fabricante:
- onsemi
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 178W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.37 mm | |
| Altura | 4.48mm | |
| Longitud | 39.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 178W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.37 mm | ||
Altura 4.48mm | ||
Longitud 39.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 80 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-3L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 80 mohm, 1.200 V, M1, TO-247-3L
El MOSFET 1200V de canal N SiC serie NTH de on Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE ENCENDIDO y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. Por consiguiente, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, la frecuencia de funcionamiento faster, la mayor densidad de potencia, la reducción de EMI y el menor tamaño del sistema.
La corriente nominal de drenaje continuo es 31A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 110mohm
Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
100% sometido a pruebas UIL
Baja capacitancia eficaz de salida
El tipo de encapsulado ES TO-247-3LD
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