Transistor MOSFET & Diodo onsemi NTP360N80S3Z, VDSS 800 V, ID 13 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 205-2504
- Nº ref. fabric.:
- NTP360N80S3Z
- Fabricante:
- onsemi
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
3,712 €
(exc. IVA)
4,492 €
(inc.IVA)
720 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,712 € | 18,56 € |
| 10 - 95 | 3,132 € | 15,66 € |
| 100 - 245 | 2,462 € | 12,31 € |
| 250 - 495 | 2,392 € | 11,96 € |
| 500 + | 2,076 € | 10,38 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 205-2504
- Nº ref. fabric.:
- NTP360N80S3Z
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET 800V de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatura de carcasa sin sacrificar el rendimiento EMI gracias a su diseño optimizado. Además, el diodo zener interno mejora significativamente la capacidad ESD. Esta nueva familia permite crear aplicaciones más eficientes, compactas, más frías y más robustas gracias a su extraordinario rendimiento en aplicaciones de alimentación de conmutación como adaptadores para portátiles, audio, iluminación, alimentación ATX y fuentes de alimentación industriales.
La corriente nominal de drenaje continuo es 13A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 360mohm
Carga de puerta ultrabaja
Baja energía almacenada en capacitancia de salida
100 % a prueba de avalancha
El tipo de paquete ES TO-220
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 360mohm
Carga de puerta ultrabaja
Baja energía almacenada en capacitancia de salida
100 % a prueba de avalancha
El tipo de paquete ES TO-220
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 13 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 800 V |
| Serie | SUPERFET III |
| Tipo de Encapsulado | TO-220 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 360 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 3.8V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
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