MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 36 A, Mejora, TO-LL de 8 pines
- Código RS:
- 206-8634P
- Nº ref. fabric.:
- STP50N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 206-8634P
- Nº ref. fabric.:
- STP50N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | STP50N60DM6 | |
| Encapsulado | TO-LL | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Altura | 4.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie STP50N60DM6 | ||
Encapsulado TO-LL | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 28.9mm | ||
Altura 4.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
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