MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STWA68N65DM6, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 212-2109P
- Nº ref. fabric.:
- STWA68N65DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 212-2109P
- Nº ref. fabric.:
- STWA68N65DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 48A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.059Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 48A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.059Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
MOSFET N-CH MDMesh M6
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y el convertidor de desplazamiento de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) inferior por área en comparación con la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Robustez dv/dt muy alta