MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTPF450N80S3Z, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 214-8915
- Nº ref. fabric.:
- NTPF450N80S3Z
- Fabricante:
- onsemi
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- NTPF450N80S3Z
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | NTPF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 29.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.53mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 15.75 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie NTPF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 29.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.53mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 15.75 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
on Semiconductor es una familia de MOSFET de alto rendimiento que ofrece una tensión de ruptura de 800 V. Está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatura de carcasa sin sacrificar el rendimiento EMI.
Capacidad ESD mejorada con diodo zener
Compatible con RoHS
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