MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 22.4 A, Mejora, VSON de 5 pines
- Código RS:
- 214-9074P
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R180P6AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-9074P
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R180P6AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 22.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | VSON | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 180mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 44nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 176W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 22.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado VSON | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 180mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 44nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 176W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie CoolMOS P6 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.
Mayor resistencia de mosfet dv/dt
Fácil de usar/conducir