MOSFET, N-Canal Infineon BSC032N04LSATMA1, VDSS 40 V, ID 98 A, Mejora, SuperSO de 8 pines
- Código RS:
- 215-2457
- Nº ref. fabric.:
- BSC032N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 20 unidades)*
17,06 €
(exc. IVA)
20,64 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 7740 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,853 € | 17,06 € |
| 100 - 180 | 0,666 € | 13,32 € |
| 200 - 480 | 0,623 € | 12,46 € |
| 500 - 980 | 0,58 € | 11,60 € |
| 1000 + | 0,537 € | 10,74 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2457
- Nº ref. fabric.:
- BSC032N04LSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 98A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | SuperSO | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 98A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado SuperSO | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 40 V, corriente de drenaje continua máxima de 98 A - BSC032N04LSATMA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia y conversión de montaje en superficie en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango ambiente y es adecuado para aplicaciones que requieren bajas pérdidas de conducción y un manejo de corriente continua significativo en un encapsulado SuperSO compacto.
Características y ventajas:
• Resistencia de conexión muy baja de 4,4 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
• Capacidad de drenaje continuo de 98 A para cargas de corriente pesada
• Valor nominal de drenaje a fuente de 40 V para etapas de potencia de tensión media
• Disipación de potencia máxima de 52 W para cabecera térmica
• Carga de puerta típica de 25 nC que permite un accionamiento de puerta eficiente
• Funciona de –55 a 175 °C para una tolerancia de temperatura ampliada
• Capacidad de drenaje continuo de 98 A para cargas de corriente pesada
• Valor nominal de drenaje a fuente de 40 V para etapas de potencia de tensión media
• Disipación de potencia máxima de 52 W para cabecera térmica
• Carga de puerta típica de 25 nC que permite un accionamiento de puerta eficiente
• Funciona de –55 a 175 °C para una tolerancia de temperatura ampliada
Aplicaciones
• Adecuado para convertidores dc-dc de alta corriente en fuentes de alimentación
• Ideal para rectificación síncrona en gestión de potencia
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren piezas de montaje en superficie
• Puede utilizarse para la distribución de energía de telecomunicaciones y servidores
• Adecuado para sistemas alimentados por batería que necesitan una conmutación de Vf baja
• Ideal para rectificación síncrona en gestión de potencia
• Se utiliza para etapas de accionamiento de motor que requieren piezas de montaje en superficie
• Puede utilizarse para la distribución de energía de telecomunicaciones y servidores
• Adecuado para sistemas alimentados por batería que necesitan una conmutación de Vf baja
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se requieren para una conmutación eficiente?
Los circuitos Drive deben proporcionar una corriente de pico suficiente para cargar rápidamente la puerta de 25 nC al tiempo que controlan el paso de conmutación para equilibrar la pérdida de conmutación y las interferencias electromagnéticas.
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en la PCB?
Utilice planos de cobre multicapa y vias térmicas por debajo de la huella SuperSO para distribuir la disipación de 52 W y una menor resistencia térmica de unión a placa.
¿Qué tensiones eléctricas debe soportar el dispositivo durante eventos transitorios?
El dispositivo tiene un valor nominal de estado estable de 40 V Vds
se debe aplicar protección transitoria, como amortiguadores o supresión de tensión transitoria, para limitar el exceso de tensión por encima de este nivel.
¿Existen prácticas de diseño específicas para minimizar la pérdida por conducción?
Trazas de cobre largas y cortas para conexiones de drenaje y fuente y minimizar la inductancia de bucle entre el dispositivo y su accionamiento de puerta para preservar la ventaja de 4,4 mΩ baja.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SuperSO de 8 pines